Infineon Technologies BSS131E6327

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

110mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

1999

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

240V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

额定电流

100mA

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

电压

240V

电流

1A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

360mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14 Ω @ 100mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 56μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

77pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.1nC @ 10V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

110mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

26Ohm

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅