Infineon Technologies BSS159NH6327XTSA1
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BSS159NH6327XTSA1
1211-BSS159NH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
1最小包装量--
BSS159NH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSS159NH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
230mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
360mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5 Ω @ 160mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 26μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
44pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.9nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.23A
DS 击穿电压-最小值
60V
场效应管特性
耗尽模式
反馈上限-最大值 (Crss)
5.9 pF
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
BSS159NH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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