Infineon Technologies BSS192PH6327XTSA1

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

190mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS™

已出版

2002

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

12 Ω @ 190mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 130μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

104pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.1nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

250V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.19A

DS 击穿电压-最小值

250V

反馈上限-最大值 (Crss)

8 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant