Infineon Technologies BSS225
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BSS225
1211-BSS225
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-243AA
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MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
--最小包装量--
BSS225详情
Infineon Technologies BSS225重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
90mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2007
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
45 Ω @ 90mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 94μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
131pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.8nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.09A
DS 击穿电压-最小值
600V
反馈上限-最大值 (Crss)
4.4 pF
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
BSS225拓展信息
Infineon Technologies
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