Infineon Technologies BSS670S2L

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

540mA Ta

Power Dissipation (Max)

360mW Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 2.7μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

系列

OptiMOS™

已出版

2003

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

650m Ω @ 270mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

75pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.26nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.54A

漏极-源极导通最大电阻

0.825Ohm

DS 击穿电压-最小值

55V

反馈上限-最大值 (Crss)

10 pF

达到SVHC

compliant

RoHS状态

符合RoHS标准