Infineon Technologies BSS816NWH6327XTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 2.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

0.75V @ 3.7μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

160m Ω @ 1.4A, 2.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

180pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.6nC @ 2.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.4A

漏极-源极导通最大电阻

160Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

反馈上限-最大值 (Crss)

10 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant