Infineon Technologies BSS83PE6327

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

330mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

1999

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

-60V

Reach合规守则

unknown

额定电流

-330mA

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

360mW

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 330mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 80μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

78pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.57nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

330mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅