Infineon Technologies BSS84PW
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BSS84PW
1211-BSS84PW
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-70, SOT-323
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MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
1最小包装量--
BSS84PW详情
Infineon Technologies BSS84PW重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
150mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
300mW Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2V @ 20μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2000
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8 Ω @ 150mA, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
19.1pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.15A
漏极-源极导通最大电阻
8Ohm
DS 击穿电压-最小值
60V
反馈上限-最大值 (Crss)
3.8 pF
达到SVHC
compliant
RoHS状态
符合RoHS标准
BSS84PW拓展信息
Infineon Technologies
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