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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥14.362307
10
¥13.549346
100
¥12.782402
500
¥12.05887
1000
¥11.376293
Infineon Technologies BSZ011NE2LS5IATMA1
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BSZ011NE2LS5IATMA1
1211-BSZ011NE2LS5IATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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TRENCH <= 40V
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¥
总价: ¥
BSZ011NE2LS5IATMA1详情
Infineon Technologies BSZ011NE2LS5IATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2.1W Ta 69W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
35A Ta 40A Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
系列
OptiMOS™ 5
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.1m Ω @ 20A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3400pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
25V
Vgs(最大值)
±16V
BSZ011NE2LS5IATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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