Infineon Technologies BSZ018N04LS6ATMA1
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BSZ018N04LS6ATMA1
1211-BSZ018N04LS6ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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TRENCH <= 40V
--最小包装量--
BSZ018N04LS6ATMA1详情
Infineon Technologies BSZ018N04LS6ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
27A Ta 40A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 83W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.3V @ 250μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
系列
OptiMOS™ 6
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.8m Ω @ 20A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2700pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
31nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
BSZ018N04LS6ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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