Infineon Technologies BSZ023N04LSATMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

触点镀层

Tin

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta 69W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Ta 40A Tc

Turn Off Delay Time

42 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

OptiMOS™

已出版

2012

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

ULTRA LOW RESISTANCE, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-F3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.35m Ω @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2630pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

37nC @ 10V

上升时间

38ns

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

40A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

22A

漏极-源极导通最大电阻

0.0032Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

130 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准