Infineon Technologies BSZ039N06NSATMA1
- 收藏
- 对比
BSZ039N06NSATMA1
1211-BSZ039N06NSATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
立即发货

TRENCH 40
1最小包装量--
BSZ039N06NSATMA1详情
Infineon Technologies BSZ039N06NSATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
18A Ta 40A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Power Dissipation (Max)
2.1W Ta 69W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.3V @ 36μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
系列
OptiMOS™
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.9m Ω @ 20A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2500pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
34nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
BSZ039N06NSATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。