Infineon Technologies BSZ040N06LS5ATMA1
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BSZ040N06LS5ATMA1
1211-BSZ040N06LS5ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MV POWER MOS
--最小包装量--
BSZ040N06LS5ATMA1详情
Infineon Technologies BSZ040N06LS5ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
表面安装
YES
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
25.6 ns
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-N3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.1W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8.5 ns
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
60V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
17A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
漏源电阻
3.3mOhm
高度
1.1mm
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSZ040N06LS5ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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