Infineon Technologies BSZ063N04LS6ATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Ta 40A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 38W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.3V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

系列

OptiMOS™ 6

零件状态

活跃

终止次数

3

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.3m Ω @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

40A

漏极-源极导通最大电阻

0.0088Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

25 mJ

达到SVHC

compliant

RoHS状态

符合RoHS标准