Infineon Technologies BTS115AE6327
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BTS115AE6327
1211-BTS115AE6327
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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N-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
BTS115AE6327详情
Infineon Technologies BTS115AE6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
PG-TO220-3-1
厂商
Infineon Technologies
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
15.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Power Dissipation (Max)
50W
RoHS
Non-Compliant
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
120mOhm @ 7.8A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
735 pF @ 25 V
漏源电压 (Vdss)
50 V
Vgs(最大值)
±10V
场效应管特性
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BTS115AE6327拓展信息
Infineon Technologies
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