Infineon Technologies BTS244ZE3062ANTMA1

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-5, D2Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-TO263-5-2

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Infineon Technologies

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 130μA

Power Dissipation (Max)

170W (Tc)

Continuous Drain Current Id

35

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BTS244ZE3062ANTMA1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.81

Drain Current-Max (ID)

35 A

系列

*

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

13mOhm @ 19A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2660 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

55 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263

漏极-源极导通最大电阻

0.018 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

188 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

1650 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

达到SVHC

compliant