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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥43.17965
10
¥40.73552
100
¥38.429738
500
¥36.254467
1000
¥34.202326
Infineon Technologies BTS247Z E3062A
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- 对比
BTS247Z E3062A
1211-BTS247Z E3062A
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-5, D2Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
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MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BTS247Z E3062A详情
Infineon Technologies BTS247Z E3062A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
包装/外壳
TO-263-5, D2Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
33A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
120W Tc
Number of Elements
1
已出版
2009
系列
TEMPFET®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-40°C~175°C TJ
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
5
JESD-30代码
R-PSSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
18m Ω @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 90μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1730pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
90nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
55V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
33A
漏极-源极导通最大电阻
0.028Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
180A
DS 击穿电压-最小值
55V
雪崩能量等级(Eas)
1300 mJ
场效应管特性
温度传感二极管
RoHS状态
符合RoHS标准
BTS247Z E3062A拓展信息
Infineon Technologies
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