Infineon Technologies BTS282Z E3230

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-7

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TEMPFET®

已出版

2001

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

7

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSFM-T7

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.5m Ω @ 36A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 240μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

232nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

49V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80A

漏极-源极导通最大电阻

0.0095Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320A

DS 击穿电压-最小值

49V

雪崩能量等级（Eas）

2000 mJ

场效应管特性

温度传感二极管

RoHS状态

符合RoHS标准