Infineon Technologies BTS282ZE3230AKSA2
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BTS282ZE3230AKSA2
1211-BTS282ZE3230AKSA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-7
大陆
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MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
--最小包装量--
BTS282ZE3230AKSA2详情
Infineon Technologies BTS282ZE3230AKSA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-7
引脚数
7
供应商器件包装
PG-TO220-7-12
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
300W Tc
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
TEMPFET®
已出版
2004
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 额定直流
49V
额定电流
1.7A
输出电压
40V
通道数量
1
功率耗散
300W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 240μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
232nC @ 10V
上升时间
37ns
漏源电压 (Vdss)
49V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
80A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
49V
输入电容
4.8nF
场效应管特性
温度传感二极管
漏源电阻
5.8mOhm
最大rds
6.5 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
BTS282ZE3230AKSA2拓展信息
Infineon Technologies
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