Infineon Technologies BUZ101SL

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

PG-TO220-3-1

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

55W (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A (Tc)

Product Status

活跃

Package

Bulk

厂商

Infineon Technologies

Package Description

PLASTIC, TO-220, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

BUZ101SL

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.31

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

20 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40mOhm @ 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 40μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

55 V

Vgs（最大值）

±14V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.07 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

90 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-