Infineon Technologies BUZ30A

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

250 ns

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Tc

系列

SIPMOS®

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2005

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

130mOhm

端子表面处理

哑光锡

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

200V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

21A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

螺纹距离

2.54mm

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 13.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900pF @ 25V

上升时间

70ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

90 ns

反向恢复时间

180 ns

连续放电电流(ID)

21A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

84A

双电源电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

栅源电压

3 V

宽度

4.4mm

长度

10mm

高度

9.25mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅