Infineon Technologies BUZ31 E3046

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

95W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 9A, 5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1120pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.2Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

54A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

达到SVHC

unknown