Infineon Technologies BUZ31H3046XKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Power Dissipation (Max)

95W Tc

Turn Off Delay Time

150 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SIPMOS®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

95W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 9A, 5V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1120pF @ 25V

上升时间

50ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

14.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

200V

漏极-源极导通最大电阻

0.2Ohm

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

58A

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

高度

9.45mm

长度

10.36mm

宽度

4.52mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅