Infineon Technologies BUZ32H3045AATMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

75W Tc

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SIPMOS®

已出版

2004

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

400m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

530pF @ 25V

上升时间

40ns

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

9.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.4Ohm

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准