Infineon Technologies BUZ73H3046XKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

40W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SIPMOS®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

400m Ω @ 4.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

530pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

7A

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏极-源极导通最大电阻

0.4Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

28A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准