CY14B101KA-SP25XIT
CY14B101KA-SP25XIT

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Infineon Technologies CY14B101KA-SP25XIT

  • 收藏
  • 对比

型号

CY14B101KA-SP25XIT

utmel 编号

1211-CY14B101KA-SP25XIT

商品类别

存储器

封装

48-BSSOP (0.295, 7.50mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NVRAM 1Mb 3V 25ns 128K x 8 nvSRAM

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
CY14B101KA-SP25XIT
CY14B101KA-SP25XIT Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 25ns 128K x 8 nvSRAM

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

CY14B101KA-SP25XIT详情

Infineon Technologies CY14B101KA-SP25XIT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    48-BSSOP (0.295, 7.50mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    48

  • 供应商器件包装

    48-SSOP

  • 终端数量

    48

  • RoHS

    Details

  • Moisture Sensitive

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1000

  • Supplier Package

    SSOP

  • Bus Type

    Parallel

  • Mounting

    表面贴装

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    CY14B101

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • Package Description

    SSOP, SSOP48,.4

  • Package Style

    SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words Code

    64000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    SSOP48,.4

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Access Time-Max

    25 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    CY14B101KA-SP25XIT

  • Number of Words

    65536 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3 V

  • Package Code

    SSOP

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.43

  • Part Package Code

    SSOP

  • Usage Level

    Industrial grade

  • 系列

    CY14B101KA

  • 包装

    Reel

  • 操作温度

    -40 to 85 °C

  • JESD-609代码

    e4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    NVSRAM

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 技术

    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

  • 电压 - 供电

    3 V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.635 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G48

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    3/3.3 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 内存大小

    1Mbit

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.07 mA

  • 访问时间

    25 ns

  • 内存格式

    NVSRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    8 Bit

  • 组织结构

    128Kx8

  • 座位高度-最大

    2.794 mm

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    25ns

  • 密度

    1 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.005 A

  • 记忆密度

    1048576 bit

  • 筛选水平

    Industrial

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    NON-VOLATILE SRAM

  • 备用内存宽度

    8

  • 电压 - 供电 (最大值)

    3.6 V

  • 电压 - 供电 (最小值)

    2.7 V

  • 组织的记忆

    128K x 8

  • 宽度

    7.5057 mm

  • 长度

    15.875 mm

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies CY14B101KA-SP25XIT.

CY14B101KA-SP25XIT拓展信息

S80KS5122GABHI020
S80KS5122GABHI020

Infineon Technologies

S80KS5123GABHB020
S80KS5123GABHB020

Infineon Technologies

CY62157G30-45ZSXAT
CY62157G30-45ZSXAT

Infineon Technologies

S80KS2564GACHI040
S80KS2564GACHI040

Infineon Technologies

S70KL1283DPBHI020
S70KL1283DPBHI020

Infineon Technologies

S25HS01GTFAMHI010
S25HS01GTFAMHI010

Infineon Technologies

S26HS01GTGABHI030
S26HS01GTGABHI030

Infineon Technologies

S80KS2562GABHV020
S80KS2562GABHV020

Infineon Technologies

S80KS2562GABHI020
S80KS2562GABHI020

Infineon Technologies

S80KS2563GABHA020
S80KS2563GABHA020

Infineon Technologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z