Infineon Technologies CY14B104LA-ZS20XIT

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

引脚数

44

供应商器件包装

44-TSOP II

终端数量

44

RoHS

Details

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

CY14B104

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Memory Types

Non-Volatile

Package Description

TSOP2, TSOP44,.46,32

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSOP44,.46,32

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

20 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY14B104LA-ZS20XIT

Number of Words

524288 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.45

Part Package Code

TSOP2

系列

CY14B104LA

包装

Reel

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

JESD-609代码

e4

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.B

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

HTS代码

8542.32.00.41

技术

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

电压 - 供电

2.7V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G44

资历状况

不合格

电源

3/3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

4Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.07 mA

访问时间

20 ns

内存格式

NVSRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512KX8

座位高度-最大

1.194 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

20ns

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

4194304 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

NON-VOLATILE SRAM

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

2.7 V

组织的记忆

512K x 8

宽度

10.16 mm

长度

18.415 mm