Infineon Technologies CY14B104NA-BA25XI
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CY14B104NA-BA25XI
1211-CY14B104NA-BA25XI
存储器
48-TFBGA
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NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
1最小包装量--
CY14B104NA-BA25XI详情
Infineon Technologies CY14B104NA-BA25XI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFBGA
引脚数
48
供应商器件包装
48-FBGA (6x10)
RoHS
Details
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
299
Unit Weight
0.004203 oz
Supplier Package
FBGA
Bus Type
Parallel
Mounting
表面贴装
Package
Tray
Base Product Number
CY14B104
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
Dimensions
10 x 6 x 0.21mm
Minimum Operating Supply Voltage
2.7 V
Package Type
FBGA
Maximum Operating Temperature
+85 °C
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Interface Type
Parallel
Number of Words
256K
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Usage Level
Industrial grade
系列
CY14B104NA
包装
Tray
操作温度
-40 to 85 °C
类型
NVSRAM
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
3.3 V
内存大小
4Mbit
访问时间
25 ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16 Bit
组织结构
256Kx16
写入周期时间 - 字符、页面
25ns
密度
4 Mbit
筛选水平
Industrial
组织的记忆
256K x 16
宽度
6mm
高度
0.21mm
长度
10mm
CY14B104NA-BA25XI拓展信息
Infineon Technologies
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