Infineon Technologies CY14B104NA-ZS20XI
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CY14B104NA-ZS20XI
1211-CY14B104NA-ZS20XI
存储器
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
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NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM
1最小包装量--
CY14B104NA-ZS20XI详情
Infineon Technologies CY14B104NA-ZS20XI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
供应商器件包装
44-TSOP II
RoHS
Details
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
270
Unit Weight
0.015988 oz
Package
Tray
Base Product Number
CY14B104
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
系列
CY14B104NA
包装
Tray
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
内存大小
4Mbit
访问时间
20 ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
20ns
组织的记忆
256K x 16
CY14B104NA-ZS20XI拓展信息
Infineon Technologies
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