Infineon Technologies CY14B108N-ZSP45XI

工厂交货时间

1 Week

包装/外壳

TSOP-54

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

54

供应商器件包装

54-TSOP II

终端数量

54

RoHS

Details

Supply Voltage-Min

2.7 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Moisture Sensitive

有

Mounting Styles

SMD/SMT

Pd - Power Dissipation

1 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

540

Unit Weight

0.020460 oz

Package

Tray

Base Product Number

CY14B108

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Memory Types

Non-Volatile

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

TSOP2, TSOP54,.46,32

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSOP54,.46,32

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

45 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY14B108N-ZSP45XI

Number of Words

524288 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

1.96

Part Package Code

TSOP2

系列

CY14B108N

包装

Tray

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8542.32.00.41

技术

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

电压 - 供电

3 V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G54

资历状况

不合格

电源

3/3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

8 Mbit

工作电源电流

75 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.057 mA

访问时间

45 ns

内存格式

NVSRAM

内存接口

Parallel

数据总线宽度

16 bit

组织结构

512 k x 16

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

45ns

待机电流-最大值

0.01 A

记忆密度

8388608 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

NON-VOLATILE SRAM

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

2.7 V

组织的记忆

512K x 16

宽度

10.16 mm

长度

22.415 mm