Infineon Technologies CY14B116M-BZ45XI
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CY14B116M-BZ45XI
1211-CY14B116M-BZ45XI
存储器
165-LBGA
大陆
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NVRAM Non Volatile SRAMs
1最小包装量--
CY14B116M-BZ45XI详情
Infineon Technologies CY14B116M-BZ45XI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-LBGA
引脚数
165
供应商器件包装
165-FBGA (15x17)
RoHS
Details
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
105
Supplier Package
FBGA
Bus Type
Parallel
Interface Type
Parallel
Mounting
表面贴装
Package
Tray
Base Product Number
CY14B116
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
Usage Level
Industrial grade
系列
CY14B11
包装
Tray
操作温度
-40 to 85 °C
类型
NVSRAM
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
3 V
内存大小
16Mbit
访问时间
45 ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16 Bit
组织结构
1Mx16
写入周期时间 - 字符、页面
45ns
密度
16 Mbit
筛选水平
Industrial
组织的记忆
1M x 16
CY14B116M-BZ45XI拓展信息
Infineon Technologies
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