Infineon Technologies CY14B116N-Z30XI

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

48-TSOP I

终端数量

48

RoHS

Details

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

480

Package

Tray

Base Product Number

CY14B116

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Memory Types

Non-Volatile

Package Description

TSOP1,

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

30 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY14B116N-Z30XI

Number of Words

1048576 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TSOP1

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

2.25

系列

CY14B116

包装

Tray

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

ECCN 代码

3A991.B.2.B

HTS代码

8542.32.00.41

技术

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

电压 - 供电

2.7V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.5 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G48

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

16Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

30 ns

内存格式

NVSRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1MX16

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

30ns

记忆密度

16777216 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

NON-VOLATILE SRAM

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

2.7 V

组织的记忆

1M x 16

宽度

12 mm

长度

18.4 mm