Infineon Technologies CY14E116N-Z30XI
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CY14E116N-Z30XI
1211-CY14E116N-Z30XI
存储器
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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NVRAM Non Volatile SRAMs
1最小包装量--
CY14E116N-Z30XI详情
Infineon Technologies CY14E116N-Z30XI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
引脚数
48
供应商器件包装
48-TSOP I
RoHS
Details
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
480
Supplier Package
TSOP-I
Bus Type
Parallel
Interface Type
Parallel
Mounting
表面贴装
Package
Tray
Base Product Number
CY14E116
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
Usage Level
Industrial grade
系列
CY14B116
包装
Tray
操作温度
-40 to 85 °C
类型
NVSRAM
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
3 V
内存大小
16Mbit
访问时间
30 ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16 Bit
组织结构
1Mx16
写入周期时间 - 字符、页面
30ns
密度
16 Mbit
筛选水平
Industrial
组织的记忆
1M x 16
CY14E116N-Z30XI拓展信息
Infineon Technologies
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