Infineon Technologies CY14V104NA-BA25XI
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CY14V104NA-BA25XI
1211-CY14V104NA-BA25XI
存储器
48-TFBGA
大陆
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NVRAM 1Mb 25ns 256K x 16 nvSRAM
--最小包装量--
CY14V104NA-BA25XI详情
Infineon Technologies CY14V104NA-BA25XI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFBGA
供应商器件包装
48-FBGA (6x10)
RoHS
Details
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
299
Package
Tray
Base Product Number
CY14V104
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
系列
CY14V104NA
包装
Tray
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
内存大小
4Mbit
访问时间
25 ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
25ns
组织的记忆
256K x 16
CY14V104NA-BA25XI拓展信息
Infineon Technologies
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