CY14V104NA-BA25XI
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Infineon Technologies CY14V104NA-BA25XI

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型号

CY14V104NA-BA25XI

utmel 编号

1211-CY14V104NA-BA25XI

商品类别

存储器

封装

48-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NVRAM 1Mb 25ns 256K x 16 nvSRAM

起订量

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CY14V104NA-BA25XI
CY14V104NA-BA25XI Infineon Technologies NVRAM 1Mb 25ns 256K x 16 nvSRAM

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CY14V104NA-BA25XI详情

Infineon Technologies CY14V104NA-BA25XI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    48-TFBGA

  • 供应商器件包装

    48-FBGA (6x10)

  • RoHS

    Details

  • Moisture Sensitive

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    299

  • Package

    Tray

  • Base Product Number

    CY14V104

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • 系列

    CY14V104NA

  • 包装

    Tray

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C (TA)

  • 技术

    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

  • 电压 - 供电

    2.7V ~ 3.6V

  • 内存大小

    4Mbit

  • 访问时间

    25 ns

  • 内存格式

    NVSRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    25ns

  • 组织的记忆

    256K x 16

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies CY14V104NA-BA25XI.

CY14V104NA-BA25XI拓展信息

S80KS5122GABHI020
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S80KS5123GABHB020
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CY62157G30-45ZSXAT
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CY15B116QI-20BKXC
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CY15V108QSN-108BKXI
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CY15V116QI-20BKXC
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S70KL1283DPBHI020
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