Infineon Technologies CY14V116G7-BZ30XI
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CY14V116G7-BZ30XI
1211-CY14V116G7-BZ30XI
存储器
165-LBGA
大陆
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NVRAM Non Volatile SRAMs
1最小包装量--
CY14V116G7-BZ30XI详情
Infineon Technologies CY14V116G7-BZ30XI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-LBGA
供应商器件包装
165-FBGA (15x17)
RoHS
Details
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
210
Package
Tray
Base Product Number
CY14V116
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
系列
CY14V116
包装
Tray
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
1.7V ~ 3.6V
内存大小
16Mbit
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
30ns
组织的记忆
2M x 8, 1M x 16
CY14V116G7-BZ30XI拓展信息
Infineon Technologies
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