Infineon Technologies CY15B064Q-SXE

包装/外壳

SOIC-8

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOIC

终端数量

8

RoHS

Details

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

SPI

Supply Voltage-Min

2.7 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

970

Unit Weight

0.019048 oz

Package

Tube

Base Product Number

CY15B064

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Memory Types

Non-Volatile

Dimensions

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Minimum Operating Supply Voltage

3 V

Package Type

SOIC

Number of Words

8K

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

SOP,

Package Style

小概要

Number of Words Code

8000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY15B064Q-SXE

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

SOP

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

1.31

Usage Level

Automotive grade

系列

CY15B064Q

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 125°C (TA)

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8542.32.00.71

技术

FRAM (Ferroelectric RAM)

电压 - 供电

3V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

工作电源电压

3 V to 3.6 V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

温度等级

AUTOMOTIVE

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

内存大小

64 kbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

16 MHz

内存格式

FRAM

内存接口

SPI

数据总线宽度

8bit

组织结构

8 k x 8

座位高度-最大

1.727 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

-

记忆密度

65536 bit

筛选水平

AEC-Q100

内存IC类型

存储器电路

组织的记忆

8K x 8

宽度

3.98mm

高度

1.48mm

长度

4.97mm