Infineon Technologies CY62126EV30LL-55BVXE
- 收藏
- 对比
CY62126EV30LL-55BVXE
1211-CY62126EV30LL-55BVXE
存储器
VFBGA-48
大陆
立即发货

SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM
1最小包装量--
CY62126EV30LL-55BVXE详情
Infineon Technologies CY62126EV30LL-55BVXE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
VFBGA-48
安装类型
表面贴装
引脚数
48
供应商器件包装
48-VFBGA (6x8)
Unit Weight
0.007873 oz
Tradename
MoBL
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
480
Moisture Sensitive
有
Memory Types
Volatile
Qualification
AEC-Q100
Mounting Styles
SMD/SMT
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Supply Voltage-Min
2.2 V
Interface Type
Parallel
Maximum Clock Frequency
-
RoHS
Details
Supplier Package
VFBGA
Typical Operating Supply Voltage
3.0000 V
Minimum Operating Supply Voltage
2.2 V
Timing Type
Asynchronous
Number of Words
64 kWords
Number of I/O Lines
16 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Mounting
表面贴装
Product Status
活跃
厂商
Infineon Technologies
Base Product Number
CY62126
Package
Tray
Supply Voltage-Max
3.6 V
Usage Level
Automotive grade
系列
CY62126EV30LL
包装
Tray
操作温度
-40 to 125 °C
类型
Asynchronous
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
2.2V ~ 3.6V
内存大小
1 Mbit
端口的数量
1
电源电流-最大值
35 mA
访问时间
55 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64 k x 16
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
地址总线宽度
16 Bit
密度
1 Mb
记忆密度
1
筛选水平
汽车
组织的记忆
64K x 16
CY62126EV30LL-55BVXE拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。