Infineon Technologies CY62157ELL-55BVXE
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CY62157ELL-55BVXE
1211-CY62157ELL-55BVXE
存储器
VFBGA-48
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SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
--最小包装量--
CY62157ELL-55BVXE详情
Infineon Technologies CY62157ELL-55BVXE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
VFBGA-48
安装类型
表面贴装
引脚数
48
供应商器件包装
48-VFBGA (6x8)
RoHS
Details
Maximum Clock Frequency
-
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
4.5 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Qualification
AEC-Q100
Memory Types
Volatile
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2400
Tradename
MoBL
Unit Weight
0.007873 oz
Supplier Package
VFBGA
Typical Operating Supply Voltage
5.0000 V
Minimum Operating Supply Voltage
4.5 V
Timing Type
Asynchronous
Number of Words
512 kWords
Number of I/O Lines
16 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
5.5 V
Mounting
表面贴装
Package
Tray
Base Product Number
CY62157
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Supply Voltage-Max
5.5 V
Usage Level
Automotive grade
包装
Tray
系列
CY62157ELL
操作温度
-40 to 125 °C
类型
Asynchronous
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
内存大小
8 Mbit
端口的数量
1
电源电流-最大值
35 mA
访问时间
55 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512 k x 16
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
地址总线宽度
19 Bit
密度
8 Mb
筛选水平
汽车
组织的记忆
512K x 16
CY62157ELL-55BVXE拓展信息
Infineon Technologies
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