Infineon Technologies CY62167G30-55BVXET

包装/外壳

VFBGA-48

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

48-VFBGA (6x8)

终端数量

48

RoHS

Details

Maximum Clock Frequency

-

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

2.2 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Memory Types

Volatile

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2000

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

CY62167

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

VFBGA,

Package Style

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY62167G30-55BVXET

Number of Words

1048576 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

VFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.8

Usage Level

Automotive grade

包装

Reel

系列

CY62167

操作温度

-40°C ~ 125°C (TA)

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.A

类型

Asynchronous

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

2.2V ~ 3.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B48

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

16 Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

36 mA

访问时间

55 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

2 M x 8/1 M x 16

座位高度-最大

1 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

记忆密度

16777216 bit

筛选水平

AEC-Q100

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

2.2 V

组织的记忆

2M x 8, 1M x 16

宽度

6 mm

长度

8 mm