Infineon Technologies CY7C1024DV33-10BGXI
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CY7C1024DV33-10BGXI
1211-CY7C1024DV33-10BGXI
存储器
PBGA-119
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SRAM 3Mb 10ns 128K x 24 Fast Async SRAM
1最小包装量--
CY7C1024DV33-10BGXI详情
Infineon Technologies CY7C1024DV33-10BGXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PBGA-119
安装类型
表面贴装
引脚数
119
供应商器件包装
119-PBGA (14x22)
RoHS
Details
Maximum Clock Frequency
100 MHz
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
3 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
SDR
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
84
Supplier Package
BGA
Typical Operating Supply Voltage
3.3000 V
Minimum Operating Supply Voltage
3 V
Timing Type
Asynchronous
Number of Words
128 kWords
Number of I/O Lines
24 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Mounting
表面贴装
Package
Tray
Base Product Number
CY7C1024
厂商
Infineon Technologies
Product Status
Obsolete
Supply Voltage-Max
3.6 V
Usage Level
Industrial grade
包装
Tray
系列
CY7C1024DV33
操作温度
-40 to 85 °C
类型
Asynchronous
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
3V ~ 3.6V
内存大小
3 Mbit
端口的数量
1
电源电流-最大值
25 mA
访问时间
10 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128 k x 24
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
17 Bit
密度
3 Mb
筛选水平
Industrial
组织的记忆
128K x 24
CY7C1024DV33-10BGXI拓展信息
Infineon Technologies
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