Infineon Technologies CY7C1049G30-10VXI
- 收藏
- 对比
CY7C1049G30-10VXI
1211-CY7C1049G30-10VXI
存储器
SOJ-36
大陆
立即发货

SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit
1最小包装量--
CY7C1049G30-10VXI详情
Infineon Technologies CY7C1049G30-10VXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SOJ-36
安装类型
表面贴装
引脚数
36
供应商器件包装
36-SOJ
RoHS
Details
Maximum Clock Frequency
-
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
2.2 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
Volatile
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
570
Unit Weight
0.049454 oz
Package
Tube
Base Product Number
CY7C1049
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Dimensions
0.92 x 0.395 x 0.103in
Minimum Operating Supply Voltage
2.2 V
Timing Type
Asynchronous
Package Type
SOJ
Number of Words
512k
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Supply Voltage-Max
3.6 V
包装
Tube
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
类型
Asynchronous
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
2.2V ~ 3.6V
内存大小
4 Mbit
时钟频率
100MHz
电源电流-最大值
45 mA
访问时间
10 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512 k x 8
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
8bit
记忆密度
4
组织的记忆
512K x 8
宽度
10.03mm
高度
2.62mm
长度
23.37mm
CY7C1049G30-10VXI拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。