Infineon Technologies CY7C1061G30-10ZXE
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CY7C1061G30-10ZXE
1211-CY7C1061G30-10ZXE
存储器
TFSOP-48
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SRAM ASYNC SRAMS
1最小包装量--
CY7C1061G30-10ZXE详情
Infineon Technologies CY7C1061G30-10ZXE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TFSOP-48
安装类型
表面贴装
引脚数
48
供应商器件包装
48-TSOP I
RoHS
Details
Maximum Clock Frequency
-
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
2.2 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
Volatile
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
192
Unit Weight
0.118956 oz
Supplier Package
TSOP-I
Data Rate Architecture
SDR
Typical Operating Supply Voltage
2.5, 3.3 V
Minimum Operating Supply Voltage
2.2 V
Timing Type
Asynchronous
Number of Words
1 MWords
Number of I/O Lines
16 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Mounting
表面贴装
Package
Tray
Base Product Number
CY7C1061
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Supply Voltage-Max
3.6 V
Usage Level
Automotive grade
包装
Tray
操作温度
-40 to 125 °C
系列
-
类型
Asynchronous
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
2.2V ~ 3.6V
内存大小
16 Mbit
端口的数量
1
电源电流-最大值
110 mA
访问时间
10 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1 M x 16
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
20 Bit
密度
16 Mbit
筛选水平
汽车
组织的记忆
1M x 16
CY7C1061G30-10ZXE拓展信息
Infineon Technologies
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