Infineon Technologies CY7C1061GE-10BV1XI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-VFBGA

表面安装

YES

供应商器件包装

48-VFBGA (6x8)

终端数量

48

Memory Types

Volatile

Product Status

活跃

Base Product Number

CY7C1061

厂商

Infineon Technologies

Package

Tray

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

-

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

5.5 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

4800

Supply Voltage-Min

4.5 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

RoHS

Details

Package Description

VFBGA,

Package Style

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

10 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY7C1061GE-10BV1XI

Number of Words

1048576 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

VFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.67

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

包装

Tray

ECCN 代码

3A991.B.2.A

类型

Asynchronous

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B48

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

16Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

110 mA

访问时间

10 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1 M x 16

座位高度-最大

1 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

10ns

产品类别

SRAM

记忆密度

16777216 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

电压 - 供电 （最大值）

5.5 V

电压 - 供电 （最小值）

4.5 V

产品类别

SRAM

组织的记忆

1M x 16

宽度

6 mm

长度

8 mm