CY7C1061GE18-15BVXI
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Infineon Technologies CY7C1061GE18-15BVXI

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型号

CY7C1061GE18-15BVXI

utmel 编号

1211-CY7C1061GE18-15BVXI

商品类别

存储器

封装

48-VFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA

起订量

1最小包装量--

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CY7C1061GE18-15BVXI
CY7C1061GE18-15BVXI Infineon Technologies IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA

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CY7C1061GE18-15BVXI详情

Infineon Technologies CY7C1061GE18-15BVXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    48-VFBGA

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    48-VFBGA (6x8)

  • 终端数量

    48

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Package

    Tray

  • Memory Types

    Volatile

  • Product Status

    活跃

  • Base Product Number

    CY7C1061

  • Brand

    Infineon Technologies

  • Moisture Sensitive

  • Maximum Clock Frequency

    -

  • Maximum Operating Temperature

    + 85 C

  • Supply Voltage-Max

    2.2 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    2400

  • Supply Voltage-Min

    1.65 V

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Interface Type

    Parallel

  • Manufacturer

    Infineon

  • RoHS

    Details

  • Package Description

    VFBGA,

  • Package Style

    GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Number of Words Code

    1000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Access Time-Max

    15 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    CY7C1061GE18-15BVXI

  • Number of Words

    1048576 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    VFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.67

  • 系列

    -

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C (TA)

  • 包装

    Tray

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • 类型

    Asynchronous

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    Memory & Data Storage

  • 电压 - 供电

    1.65V ~ 2.2V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.75 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B48

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 内存大小

    16Mbit

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    80 mA

  • 访问时间

    15 ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    1 M x 16

  • 座位高度-最大

    1 mm

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    15ns

  • 产品类别

    SRAM

  • 记忆密度

    16

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 电压 - 供电 (最大值)

    2.2 V

  • 电压 - 供电 (最小值)

    1.65 V

  • 产品类别

    SRAM

  • 组织的记忆

    1M x 16

  • 宽度

    6 mm

  • 长度

    8 mm

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies CY7C1061GE18-15BVXI.

CY7C1061GE18-15BVXI拓展信息

S80KS5122GABHI020
S80KS5122GABHI020

Infineon Technologies

S80KS5123GABHB020
S80KS5123GABHB020

Infineon Technologies

CY62157G30-45ZSXAT
CY62157G30-45ZSXAT

Infineon Technologies

S80KS2564GACHI040
S80KS2564GACHI040

Infineon Technologies

S70KL1283DPBHI020
S70KL1283DPBHI020

Infineon Technologies

S25HS01GTFAMHI010
S25HS01GTFAMHI010

Infineon Technologies

S26HS01GTGABHI030
S26HS01GTGABHI030

Infineon Technologies

S80KS2562GABHV020
S80KS2562GABHV020

Infineon Technologies

S80KS2562GABHI020
S80KS2562GABHI020

Infineon Technologies

S80KS2563GABHA020
S80KS2563GABHA020

Infineon Technologies

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