Infineon Technologies CY7C1061GN18-15ZSXI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

54-TSOP II

终端数量

54

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Clock Frequency

-

RoHS

Details

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Memory Types

Volatile

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

108

Package

Tray

Base Product Number

CY7C1061

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Description

TSOP2,

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

15 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY7C1061GN18-15ZSXI

Number of Words

1048576 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.67

包装

Tray

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

3A991.B.2.A

类型

Asynchronous

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

1.65V ~ 2.2V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G54

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

16 Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

15 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1 M x 16

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

记忆密度

16777216 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

电压 - 供电 （最大值）

2.2 V

电压 - 供电 （最小值）

1.65 V

组织的记忆

1M x 16

宽度

10.16 mm

长度

22.415 mm