Infineon Technologies CY7C1069GE30-10ZSXIT
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CY7C1069GE30-10ZSXIT
1211-CY7C1069GE30-10ZSXIT
存储器
TSOP-54
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SRAM Async SRAMS
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CY7C1069GE30-10ZSXIT详情
Infineon Technologies CY7C1069GE30-10ZSXIT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TSOP-54
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
54-TSOP II
终端数量
54
RoHS
Details
Maximum Clock Frequency
-
Interface Type
Parallel
Supply Voltage-Min
2.2 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
Volatile
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
CY7C1069
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Supply Voltage-Max
3.6 V
Package Description
TSOP2,
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
2000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
10 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
CY7C1069GE30-10ZSXIT
Number of Words
2097152 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TSOP2
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.8
包装
Reel
系列
CY7C1069
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.2.A
类型
Asynchronous
HTS代码
8542.32.00.61
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
2.2V ~ 3.6V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G54
温度等级
INDUSTRIAL
内存大小
16 Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
110 mA
访问时间
10 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
2 M x 8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
记忆密度
16
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
电压 - 供电 (最大值)
3.6 V
电压 - 供电 (最小值)
2.2 V
组织的记忆
2M x 8
宽度
10.16 mm
长度
22.415 mm
CY7C1069GE30-10ZSXIT拓展信息
Infineon
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