CY7C1069GE30-10ZSXIT
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Infineon Technologies CY7C1069GE30-10ZSXIT

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型号

CY7C1069GE30-10ZSXIT

utmel 编号

1211-CY7C1069GE30-10ZSXIT

商品类别

存储器

封装

TSOP-54

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Async SRAMS

起订量

1最小包装量--

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CY7C1069GE30-10ZSXIT
CY7C1069GE30-10ZSXIT Infineon Technologies SRAM Async SRAMS

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CY7C1069GE30-10ZSXIT详情

Infineon Technologies CY7C1069GE30-10ZSXIT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TSOP-54

  • 安装类型

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    54-TSOP II

  • 终端数量

    54

  • RoHS

    Details

  • Maximum Clock Frequency

    -

  • Interface Type

    Parallel

  • Supply Voltage-Min

    2.2 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 85 C

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Memory Types

    Volatile

  • Moisture Sensitive

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1000

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    CY7C1069

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    活跃

  • Supply Voltage-Max

    3.6 V

  • Package Description

    TSOP2,

  • Package Style

    SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

  • Number of Words Code

    2000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Access Time-Max

    10 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    CY7C1069GE30-10ZSXIT

  • Number of Words

    2097152 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3 V

  • Package Code

    TSOP2

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.8

  • 包装

    Reel

  • 系列

    CY7C1069

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C (TA)

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • 类型

    Asynchronous

  • HTS代码

    8542.32.00.61

  • 技术

    SRAM - Asynchronous

  • 电压 - 供电

    2.2V ~ 3.6V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G54

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 内存大小

    16 Mbit

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    110 mA

  • 访问时间

    10 ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    2 M x 8

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    10ns

  • 记忆密度

    16

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    标准SRAM

  • 电压 - 供电 (最大值)

    3.6 V

  • 电压 - 供电 (最小值)

    2.2 V

  • 组织的记忆

    2M x 8

  • 宽度

    10.16 mm

  • 长度

    22.415 mm

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies CY7C1069GE30-10ZSXIT.

CY7C1069GE30-10ZSXIT拓展信息

S80KS5122GABHI020
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Infineon Technologies

S80KS5123GABHB020
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CY62157G30-45ZSXAT
CY62157G30-45ZSXAT

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S80KS2564GACHI040
S80KS2564GACHI040

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S70KL1283DPBHI020
S70KL1283DPBHI020

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S25HS01GTFAMHI010
S25HS01GTFAMHI010

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S26HS01GTGABHI030
S26HS01GTGABHI030

Infineon Technologies

S80KS2562GABHV020
S80KS2562GABHV020

Infineon Technologies

S80KS2562GABHI020
S80KS2562GABHI020

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S80KS2563GABHA020
S80KS2563GABHA020

Infineon Technologies

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