Infineon Technologies CY7C1313KV18-250BZCT

包装/外壳

FBGA-165

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

165-FBGA (13x15)

终端数量

165

RoHS

N

Maximum Clock Frequency

250 MHz

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

1.7 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Memory Types

Volatile

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

CY7C1313

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Supply Voltage-Max

1.9 V

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.55

Number of Words

1048576 words

Clock Frequency-Max (fCLK)

250 MHz

Manufacturer Part Number

CY7C1313KV18-250BZCT

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

70 °C

Access Time-Max

0.45 ns

Reflow Temperature-Max (s)

20

Package Equivalence Code

BGA165,11X15,40

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

1000000

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Package Description

LBGA, BGA165,11X15,40

包装

Reel

系列

CY7C1313KV18

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A991.B.2.A

类型

Synchronous

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Synchronous, QDR II

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

电源

1.5/1.8,1.8 V

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

18 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

250 MHz

电源电流-最大值

440 mA

访问时间

450 ps

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1 M x 8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

18

写入周期时间 - 字符、页面

-

待机电流-最大值

0.25 A

记忆密度

18874368 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

1.7 V

电压 - 供电 （最大值）

1.9 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

组织的记忆

1M x 18

长度

15 mm

宽度

13 mm