CY7C1357C-100BZC
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Infineon Technologies CY7C1357C-100BZC

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型号

CY7C1357C-100BZC

utmel 编号

1211-CY7C1357C-100BZC

商品类别

存储器

封装

FBGA-165

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM 9Mb 100Mhz 512K x 18 Flow-Thru SRAM

起订量

1最小包装量--

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CY7C1357C-100BZC
CY7C1357C-100BZC Infineon Technologies SRAM 9Mb 100Mhz 512K x 18 Flow-Thru SRAM

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CY7C1357C-100BZC详情

Infineon Technologies CY7C1357C-100BZC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    1 Week

  • 包装/外壳

    FBGA-165

  • 安装类型

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    165

  • 供应商器件包装

    165-FBGA (13x15)

  • 终端数量

    165

  • RoHS

    N

  • Maximum Clock Frequency

    100 MHz

  • Interface Type

    Parallel

  • Supply Voltage-Min

    3.135 V

  • Minimum Operating Temperature

    0 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 70 C

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Memory Types

    SDR

  • Moisture Sensitive

    有

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    136

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    CY7C1357

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    活跃

  • Supply Voltage-Max

    3.6 V

  • Package Description

    LBGA, BGA165,11X15,40

  • Package Style

    GRID ARRAY, LOW PROFILE

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words Code

    512000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA165,11X15,40

  • Reflow Temperature-Max (s)

    20

  • Access Time-Max

    7.5 ns

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Rohs Code

    无

  • Manufacturer Part Number

    CY7C1357C-100BZC

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    100 MHz

  • Number of Words

    524288 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3.3 V

  • Package Code

    LBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    2.29

  • Part Package Code

    BGA

  • 包装

    Tray

  • 系列

    CY7C1357C

  • 操作温度

    0°C ~ 70°C (TA)

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    无

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • 类型

    Synchronous

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 技术

    SRAM - Synchronous, SDR

  • 电压 - 供电

    3.135V ~ 3.6V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    235

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B165

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    2.5/3.3,3.3 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 内存大小

    9 Mbit

  • 端口的数量

    2

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    100 MHz

  • 电源电流-最大值

    180 mA

  • 访问时间

    7.5 ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    512 k x 18

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.4 mm

  • 内存宽度

    18

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 待机电流-最大值

    0.04 A

  • 记忆密度

    9437184 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    ZBT SRAM

  • 待机电压-最小值

    3.14 V

  • 电压 - 供电 (最大值)

    3.6 V

  • 电压 - 供电 (最小值)

    3.135 V

  • 组织的记忆

    512K x 18

  • 宽度

    13 mm

  • 长度

    15 mm

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies CY7C1357C-100BZC.

CY7C1357C-100BZC拓展信息

S80KS5122GABHI020
S80KS5122GABHI020

Infineon Technologies

S80KS5123GABHB020
S80KS5123GABHB020

Infineon Technologies

CY62157G30-45ZSXAT
CY62157G30-45ZSXAT

Infineon Technologies

S80KS2564GACHI040
S80KS2564GACHI040

Infineon Technologies

S70KL1283DPBHI020
S70KL1283DPBHI020

Infineon Technologies

S25HS01GTFAMHI010
S25HS01GTFAMHI010

Infineon Technologies

S26HS01GTGABHI030
S26HS01GTGABHI030

Infineon Technologies

S80KS2562GABHV020
S80KS2562GABHV020

Infineon Technologies

S80KS2562GABHI020
S80KS2562GABHI020

Infineon Technologies

S80KS2563GABHA020
S80KS2563GABHA020

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