Infineon Technologies CY7C1370KV33-200BZXI

包装/外壳

FBGA-165

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

165-FBGA (13x15)

终端数量

165

Memory Types

Volatile

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

136

Unit Weight

0.147670 oz

RoHS

Details

Maximum Clock Frequency

200 MHz

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

3.135 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Package

Tray

Base Product Number

CY7C1370

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

LBGA,

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

3 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY7C1370KV33-200BZXI

Number of Words

524288 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.41

包装

Tray

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

NoBL™

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

Synchronous

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Synchronous, SDR

电压 - 供电

3.135V ~ 3.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B165

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

18 Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

200 MHz

电源电流-最大值

178 mA

访问时间

3 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512 k x 36

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

36

写入周期时间 - 字符、页面

-

记忆密度

18874368 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

ZBT SRAM

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

3.135 V

组织的记忆

512K x 36

宽度

13 mm

长度

15 mm